В компании Samsung сообщили, что в массовое производство поступила флеш-память типа 3D Vertical NAND, которая является первой в мире индустриальной памятью объемом в 256 Гб.

3-е поколение V-NAND SSD

В Samsung упомянули, что новый чип построен на базе 48 слоев 3-х битной матрицы MLC, которая идеально подходит для твердотельных накопителей, что позволяет ей увеличивать объемы для SSD дисков.

Третье поколение микросхем V-NAND теперь поддерживают накопители объемом 32 Гб в одном слое, что дает возможность в двое увеличить объем нынешних SSD-дисков, на 30% сэкономить энергозатраты и на 40% поднять производительность.

Релиз новых накопителей V-NAND запланирован на конец текущего года. Стоимость пока не сообщается.